Libro blanco: una comparación del rendimiento del sistema de GaN y GaAs
Escrito por Michael Schefter, científico jefe y Mehdi Ardavan, ingeniero de diseño de RF en Norsat International, el documento reflexiona sobre la comprensión y cuantificación de las diferencias entre los amplificadores de GaN y GaAs y el impacto en el rendimiento del sistema. Tradicionalmente, los amplificadores de potencia de RF utilizaban la tecnología GaAs, que tiene un rendimiento comprensible y de buen comportamiento. En los últimos años, la tecnología GaN está reemplazando a GaAs porque GaN es más eficiente y tiene una mayor densidad de potencia, lo que da como resultado MMIC y FET de mayor potencia. Para comprender y cuantificar mejor las diferencias entre los amplificadores de GaN y GaAs y el impacto de esto en el rendimiento del sistema, se tomaron algunas medidas del amplificador y del sistema. Los hallazgos están documentados en el libro blanco, publicado en la edición reciente de Microwave Journal.
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